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CVD化学气相沉积炉是制备C/C复合材料的关键技术装备。感应加热CVD化学气相沉积炉设备采用中频感应加热，设备采用立式，炉底升降进出料结构。温控系统选用日本岛电（或同档次一线品牌）智能程序控温仪控温，全套设备包含炉体、中频电源、电控系统、气
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气相沉积炉概述：CVD化学气相沉积炉是用于制备碳碳复合材料，完成CVD气相沉积工艺的重要工艺装备。1)设计温度：1250℃/1650℃/1800℃/2200℃2)常用温度：900~1200℃3)真空度：＜50Pa4)压升率：空炉冷态6.67
